FLASH擦写寿命流程

由于硬件成本原因，在许多嵌入式处理器中并没有集成EEPROM 模块，通常我们可以采用在片内FLASH存储器中保存非易失性数据的应用方式来达到使用要求。对一些普通的应用场合，这种使用方式可以满足要求。本应用笔记介绍了使用代码区域Flash 来模拟EEPROM，通过一定的软件处理算法，可以增加数据存储周期的一种方法。本文给出了实现上述功能的软件流程。
 
1.1 写方法
 
外置EEPROM和采用Flash 模拟EEPROM的最大不同之处在于写的方法。
 
EEPROM：对EEPROM 的写操作不需要额外的操作，只需要提供电源供给;但是一旦启动写操作流程后，写操作不能够被打断。所以需要外接电容器等措施来保证在芯片掉电时能够维持供电，保证完成数据操作。
 
Flash 模拟EEPROM：当芯片上电后，写操作可以被电源掉电和芯片复位打断。和EEPROM 相比，需要应用设计者增加相关的处理来应对可能存在的异常。
 
1.2 擦写时间
 
EEPROM和采用Flash 模拟EEPROM在擦除时间上存在很大的差异。
 
与Flash 不同，EEPROM 在进行写操作之前不要擦除操作。由于Flash 需要几个毫秒时间进行擦除操作，所以如果在进行擦除操作的过程中出现电源掉电的情况，需要软件做相关的保护处理。为了设计一个健壮的Flash 存储器的管理软件，需要深入的了解和掌握Flash 存储器的擦除过程特性。
 
 
1.3 写访问时间
 
由于EEPROM 和Flash 的工作特性不同，所以写访问时间也不相同。Flash 具有更短的写访问时间，所以更适用于对存储速度有要求的场合。
 
 
关键词：FLASH