MRAM场合应用的例子
来源：宇芯有限公司 日期：2020-02-17 10:24:09
MRAM目前处于锁定三大技术的早期阶段：其一是作为非挥发性存储器(NVM)领域的替代方案，特别是嵌入式NOR flash。此外它还可以作为传统CMOS高速嵌入式静态随机存取存储器(SRAM)的替代技术。我认为这项技术更适于在此领域实现差异化。第三是作为DRAM的替代技术。目前DRAM市场成长开始趋缓，未来可能会由特别有利于储存应用的持久特性主导市场成长。
至今许多采用MRAM的场合都离不开储存应用。是否还有其他细分市场存在新应用的例子？
在手机中有几个地方需要超过200Mb的静态存储器，而当你尝试使用SRAM时，就会发现那真的是在烧钱。降低静态存储器的成本看来势在必行，再者因为它用在行动装置中，所以对于功耗也十分敏感。40nm以下的传统解决方案由于漏电流之故而经常耗用较大电源。如今以MRAM取代SRAM几乎可完全排除漏电流的问题。
此外，为使用中的资料提供保护方面也是一大挑战。许多应用都需要高频宽，高速资料经由系统传送的同时，也进入其永久储存的位置。在资料顺利传送到安全可靠的最终存放位置以前，如果发生了危及资料的故障情况会很麻烦，这正是MRAM得以发挥作用之处。宇芯有限公司
everspin代理 MRAM芯片,不同容量大小，并提供技术支持
Everspin MRAM芯片型号
|
型号 |
容量 |
位宽 |
电压(V) |
温度 |
封装 |
MOQ /卷带 |
| MR25H40CDC |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃to+85℃ |
8-DFN |
4,000 |
| MR20H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
| MR25H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
| MR25H40MDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
| MR25H10CDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
4,000 |
| MR25H10MDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
4,000 |
| MR25H10CDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
| MR25H10MDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
关键词：MRAM
宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。
