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超可靠异步SRAM技术增强
来源：宇芯有限公司 日期：2019-12-24 09:28:29
凭借可服务于各种高可靠性工业，通信，数据处理，医疗，消费和军事应用的性能，快速和微功耗（MoBL®）SRAM器件可提供片上ECC。这些器件具有与上一代异步SRAM兼容的外形匹配功能。这使您无需投资进行PCB重新设计即可提高系统可靠性。
高可靠性：软错误率<0.1FIT/Mbit
ERR引脚指示单位错误
密度选项：4Mbit，8Mbit，16Mbit
快速访问时间：10ns（FAST）
超低待机电流：8.7μA（4-MbitMoBL®）
总线宽度配置：x8，x16和x32
宽工作电压范围：1.8-5.0V
工业和汽车温度等级
PowerSnooze™
赛普拉斯是第一家提供新器件系列的SRAM制造商，该器件系列将快速异步SRAM的访问时间与独特的超低功耗睡眠模式（PowerSnooze™）相结合。带有PowerSnooze的快速SRAM消除了异步SRAM应用中性能与功耗之间的折衷。在这一新的设备系列中，通过提供一种称为PowerSnooze的新型超低功耗睡眠模式，可以实现现有产品系列的最佳功能。PowerSnooze是标准异步SRAM操作模式（活动，待机和数据保留）的附加操作模式。深度睡眠引脚（DS＃）使器件可以在高性能活动模式和超低功耗PowerSnooze模式之间切换。在4Mbit器件上的深度睡眠电流低至15μA时，
异步SRAM技术增强
纠错码（ECC）
赛普拉斯最新一代的异步SRAM器件使用（38,32）汉明码ECC进行单位错误检测和纠正。赛普拉斯超可靠异步SRAM中的硬件ECC块可以在线执行所有与ECC相关的功能，而无需用户干预。
多位交织
高能量的地外辐射会翻转多个相邻位，从而导致多位错误。纠错码的单比特错误检测和纠正功能通过比特交织方案得到补充，以防止出现多比特错误。
这些功能加在一起，可以显着改善软错误率（SER）性能，从而导致业界领先的FIT率低于0.1FIT/Mbit。
我司是CYPRESS代理,提供超低功耗异步SRAM等产品
关键词：SRAM
相关文章：Cypress非易失性SRAM技术
宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。
具有ECC框图的快速SRAM
高可靠性：软错误率<0.1FIT/Mbit
ERR引脚指示单位错误
密度选项：4Mbit，8Mbit，16Mbit
快速访问时间：10ns（FAST）
超低待机电流：8.7μA（4-MbitMoBL®）
总线宽度配置：x8，x16和x32
宽工作电压范围：1.8-5.0V
工业和汽车温度等级
PowerSnooze™
具有PowerSnooze框图的快速SRAM
赛普拉斯是第一家提供新器件系列的SRAM制造商，该器件系列将快速异步SRAM的访问时间与独特的超低功耗睡眠模式（PowerSnooze™）相结合。带有PowerSnooze的快速SRAM消除了异步SRAM应用中性能与功耗之间的折衷。在这一新的设备系列中，通过提供一种称为PowerSnooze的新型超低功耗睡眠模式，可以实现现有产品系列的最佳功能。PowerSnooze是标准异步SRAM操作模式（活动，待机和数据保留）的附加操作模式。深度睡眠引脚（DS＃）使器件可以在高性能活动模式和超低功耗PowerSnooze模式之间切换。在4Mbit器件上的深度睡眠电流低至15μA时，
异步SRAM技术增强
纠错码（ECC）
赛普拉斯最新一代的异步SRAM器件使用（38,32）汉明码ECC进行单位错误检测和纠正。赛普拉斯超可靠异步SRAM中的硬件ECC块可以在线执行所有与ECC相关的功能，而无需用户干预。
多位交织
高能量的地外辐射会翻转多个相邻位，从而导致多位错误。纠错码的单比特错误检测和纠正功能通过比特交织方案得到补充，以防止出现多比特错误。
这些功能加在一起，可以显着改善软错误率（SER）性能，从而导致业界领先的FIT率低于0.1FIT/Mbit。
我司是CYPRESS代理,提供超低功耗异步SRAM等产品
关键词：SRAM
相关文章：Cypress非易失性SRAM技术
宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。
