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MRAM迎来下一波存储浪潮
来源：宇芯有限公司 日期：2019-12-10 10:07:37
MRAM的特性，包括低功耗以及持久性等，都是使得MRAM在许多应用上拥有极高灵活性的主要原因。举例子来说MRAM可用于极低功耗的设计，例如穿戴式设备上，如智慧标签或追踪器等，另外包括边际运算和云端应用等，也都能够满足其性能上的需求。
MRAM具有旋转的特性，电子的旋转透过施加的电流来改变其方向，其方向变化的时间具有量子特性，这取决于旋转的角度而定。STT-MRAM也容易出现变化，这可能会导致一些可靠性问题。STT-MRAM面临的最大挑战是所谓的读取干扰。另一个问题在于制程。今天业界正在开发28nm或22nm的MRAM。STT-MRAM技术可以从2xnm节点扩展到1xnm节点，这是没有任何疑问的。然而是否可以持续扩展到7nm或者5nm，则还有待观察。
尽管如此STT-MRAM的发展脚步毫无减缓的迹象，并瞄准两大应用领域，分别是嵌入式存储器和独立存储器。目前有些厂商专注于发展嵌入式非易失性MRAM。举个例子来说明其重要性，通常MCU会在同一芯片上整合多种元件，例如运算单元、sram和嵌入式快闪存储器。而这种嵌入式快闪存储器具备NOR的非挥发特性，这种NOR快闪存储器通常都用来作为程式代码的储存用途。
目前业界已推出采用嵌入式NOR快闪存储器的28纳米MCU产品，至于研发阶段的已有厂商开始采用16nm或14nm的芯片。然而有些专家认为要在28nm以下制程范围来扩展嵌入式NOR快闪存储器有其困难，许多人认为28nm或22nm将成为这种快闪存储器的极限，原因在于过高的成本将限制其市场接受度。
新一波的储存浪潮来袭
而这就是嵌入式STT-MRAM适用的地方。它适用于取代28nm或22nm甚至以上的嵌入式NOR快闪存储器。除了这个优点之外，STT-MRAM还可以替代或增强MCU、微处理器或SoC系统中的SRAM。
专家预言表示，非易失性MRAM将带来下一波的储存浪潮。非易失性MRAM的特性，包括低功耗以及持久性等，使其在许多应用上拥有极高灵活性。
关键词：MRAM
上一篇文章：解决电机启动检测难题的灵动微MCU
宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。
MRAM具有旋转的特性，电子的旋转透过施加的电流来改变其方向，其方向变化的时间具有量子特性，这取决于旋转的角度而定。STT-MRAM也容易出现变化，这可能会导致一些可靠性问题。STT-MRAM面临的最大挑战是所谓的读取干扰。另一个问题在于制程。今天业界正在开发28nm或22nm的MRAM。STT-MRAM技术可以从2xnm节点扩展到1xnm节点，这是没有任何疑问的。然而是否可以持续扩展到7nm或者5nm，则还有待观察。
尽管如此STT-MRAM的发展脚步毫无减缓的迹象，并瞄准两大应用领域，分别是嵌入式存储器和独立存储器。目前有些厂商专注于发展嵌入式非易失性MRAM。举个例子来说明其重要性，通常MCU会在同一芯片上整合多种元件，例如运算单元、sram和嵌入式快闪存储器。而这种嵌入式快闪存储器具备NOR的非挥发特性，这种NOR快闪存储器通常都用来作为程式代码的储存用途。
目前业界已推出采用嵌入式NOR快闪存储器的28纳米MCU产品，至于研发阶段的已有厂商开始采用16nm或14nm的芯片。然而有些专家认为要在28nm以下制程范围来扩展嵌入式NOR快闪存储器有其困难，许多人认为28nm或22nm将成为这种快闪存储器的极限，原因在于过高的成本将限制其市场接受度。
新一波的储存浪潮来袭
而这就是嵌入式STT-MRAM适用的地方。它适用于取代28nm或22nm甚至以上的嵌入式NOR快闪存储器。除了这个优点之外，STT-MRAM还可以替代或增强MCU、微处理器或SoC系统中的SRAM。
专家预言表示，非易失性MRAM将带来下一波的储存浪潮。非易失性MRAM的特性，包括低功耗以及持久性等，使其在许多应用上拥有极高灵活性。
关键词：MRAM
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宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。
