瑞萨低功耗SRAM产品

作为先进半导体解决方案的领先供应商的瑞萨电子，宣布推出两款低功耗SRAM（高级LP SRAM），主要是用于提供增强的可靠性和更长的备份电池寿命的应用，如工厂自动化（FA），工业设备以及智能电网。采用110纳米（nm）工艺制造，新RMLV1616A系列16兆位（MB）的设备和RMWV3216A系列32 MB装置采用创新的存储单元技术，大幅提高了可靠性，并有助于延长电池的运行。
 
目前随着需求高安全性跟高可靠性的要求，瑞萨顺势而出的高度可靠的SRAM，可以用来存储重要的信息，比如系统程序及金融交易数据的需求，软错误所引起的α射线和宇宙中子射线的预防是一个显著的问题。典型的措施来解决这个问题包括嵌入纠错码（ECC）电路中的SRAM或用户的系统纠正可能发生的任何软错误。然而有限制，对ECC电路的错误纠正能力。例如一些不能纠正影响多个位同时出错。
 
 
瑞萨的高级LP SRAM器件具有在他们的记忆细胞独家技术，可实现软错误性（注2）超过500倍，传统的全CMOS存储单元（注3）。这使得希望用于要求高可靠性，包括FA和测量设备，智能电网相关设备和工业设备，除了许多其他领域，如消费设备，办公设备和通信设备领域使用。
 
市场上最大容量64Mb低功耗SRAM产品R1WV6416R系列以及32Mb尺寸更小的SRAM产品由瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布推出，  
 
目前瑞萨这两款新系列采用了专有的存储单元技术实现实现更小芯片尺寸和无软错误的先进LPSRAM产品的阵容。可以满足消费类产品：电子词典；工业设备：自动贩卖机、POS终端、自动检票门；办公设备：多功能复印机；汽车系统：汽车导航系统；通信系统：电话交换机、路由器等等。
 
这两款产品主要是在一个封装中集成了两个小型32 Mb先进LPSRAM芯片的堆栈，实现了业界最高的容量，可以满足需要提高性能系统的大容量SRAM同时也满足低功耗的需求，由于芯片的体积进一步更小，有利于对减少PCB板空间的设计。瑞萨为了满足不同的封装需求，采用了几种不同的封装：TSOP I（48引脚）、μTSOP（52引脚），FBGA（48焊球）封装。TSOP I和μTSOP封装等，有利于客户在使用原先的布局设计时增加存储容量。再者采用一种堆叠电容器*2 存储单元结构，这是DRAM元件中证明成功的一种方法。它实际上可以消除alpha辐射或高能量中子辐射所引起的软错误，这可能是超精细SRAM存在的一个问题。此外这种存储单元结构还可以避免寄生可控硅（parasitic thyristor）的问题，它可能产生寄生电流流动并导致锁定。消除软错误和锁定可以实现卓越的可靠性。

关键词：SRAM