复旦大学研发出第三种存储技术
来源：宇芯有限公司 日期：2018-06-27 16:29:21
目前世界上现有的存储技术有两种，一种是以内存为代表的易失性存储，速度很快，但断电后数据就丢失了，无法保存；另一种是以U盘为代表的非易失性存储，断电后依然能够保存数据，但缺点就是读写速度慢。近期复旦大学微电子学院的团队则研发出了第三种存储技术，不但能保证超高的读写速度，又能保证断电后数据不会丢失。
据团队人员介绍，基于这项技术制作的存储元器件，其写入速度将会比普通U盘快上10000倍。
而且这项技术的特别之处在于能够按需对数据的存储时长进行调整。它的原理是，这种技术采用了多重二维半导体材料，只要通过对材料比例的控制，便可以控制写入速度与断电数据保留时长的比例。
目前这项技术还仅仅存在于实验室中，不过这项技术诞生于中国复旦大学，看来中国研发已经往世界水平看齐了。
关键词：
存储芯片
上一篇：
明年将缓解8英寸晶圆缺货状况
宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。
