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各大厂商扩产Flash 面临杀价潮
来源：宇芯有限公司 日期：2018-04-03 15:21:12
全球存储芯片龙头三星电子今年正式宣布，将在三年内斥资70亿美元，用以扩大中国西安厂区储存型快闪记忆体（NAND Flash）产能，这是继DRAM扩产之后，三星在存储产能的又一重要战略。
关键词：NAND Flash
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据悉，三星位于西安的存储工厂，目前主力产品为NAND Flash。按照三星计划，新厂竣工后，西安NAND Flash月产能将由目前的12万片增至20万片，增幅67%。
2018年三星NAND FLASH的出货量将会在同比增长36%，业界预测，三星2017年的增长主要是由平泽工厂的50K 3D NAND创造的，到2018年Q4，这个数字将会达到100K。但是总体数量的增加应该还是保持在个位数，根据预测，到2018年，三星3D NAND的产量将会达到320K/月，同比增长了18%
同时除了三星外，其他闪存产商也在进行NAND Flash产能的扩充。韩国大厂SK 海力士在去年8就表示要在十年内，在韩国利川、清洲等地加码建置三座半导体厂房。现在SK 海力士对外公布了最新的新厂投资计划，SK 海力士表示，新厂选址在韩国清州市科技城，将于同年9月动工展开设计、今年8 月开始外壳结构与无尘室建构，并于2019 年6 月完工，而届时的设备机台安装将视公司的迁移计划而定，新厂总投资金额将高达2.2 兆韩元，主要用于扩大NAND Flash 产能。
海力士新建的利川M14 厂虽将于明年转进3D NAND Flash 量产，但官方更加清楚的表示，为了应对接下来3D NAND Flash 渗透率不断攀升、加以建厂时需两年，因此决议提前新建厂房布局。
另外，据报导，东芝 ( Toshiba )存储器事业合作伙伴西部数据（Western Digital）将在未来3年内对双方的合资事业投资5,000亿日圆，除了将用于四日市工厂新厂房的兴建费用之外、还将充作预计2020年启用的北上工厂的投资资金。
去年底，东芝宣布Fab 7兴建计划，并表明未来每年将投入三千数百亿日圆进行投资。
集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，东芝Fab 7将厂址改设在岩手县北上市，该厂投入量产的时程将落在2019年下半年后，主要投产96层以上的3D-NAND Flash，对整体产出真正产生影响将在2020年。
DRAMeXchange分析指出，基于各家供货商皆在3D-NAND Flash具体新增产能，在2019年以后3D-NAND Flash市场预期会再度进入供过于求格局。
IHS Markit报告预估，明年全球NAND Flash供给将提高39.6%至2,441亿GB。其中三星电子将带头增产，预料供给将增39%至879亿GB。与此同时，明年全球NAND需求提高36.7%至2,424亿GB，供给超出需求17亿GB，供给过剩比率约为0.7%。这将会使得闪存迈入新一轮的杀价潮。
关键词：NAND Flash
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