RRAM芯片的优势
来源：宇芯有限公司 日期：2018-03-27 15:17:41
RRAM不是目前唯一的存储器改进。将来可以与NAND和DRAM对抗的其他形式的非易失性存储器包括Everspin的磁阻RAM（MRAM）和相变存储器（PCM），这是三星和美光正在追求的存储器类型。还有赛道存储器，石墨烯存储器和忆阻器——惠普自己的RRAM类型。
研究公司ForwardInsights的创始人兼首席分析师 Gregory Wong认为Crossbar的RRAM是一种可行的产品，未来一定会挑战NAND。他说：“当我提到NAND，就说明是3D NAND。”
赛道存储器至少还需要五年才会可行。Wong说：“现在，它看起来像一个有趣的概念。未来它最终能否变得商业化还不能肯定。相变的问题在于：在存储器市场中它能够适应哪里？现在它的定位是一个NOR的替代品。其性能和耐久性像是NOR，而不是NAND。”
正常情况下，当你看到别人吹捧RRAM时，会心存许多怀疑；但当你看到Crossbar和它的技术时，会发现很有趣。Handy也相信硅制作的存储器，如Crossbar的RRAM，将继续占据存储器市场的主导地位，因为晶圆厂已经做好充分的准备去使用它了，而且硅还是一种廉价的材料。
Handy说：“硅会尽可能的维持其对新材料的优势，直到3D NAND开始衰退，像Crossbar的技术才会发挥作用，目前看来，在2D技术停止发展后3D NAN技术才会发挥真正作用，距现在还有二到三代工艺的时间。”
NAND闪存工艺技术每12个月左右不断发展。例如，英特尔即将从19nm节点移至14nm。这意味着它可能在两到三年之内失去动力。
不是每个人都认为3D NAND会这么快没落。
应用材料技术人员的高级主管和主要成员Gill Lee认为3D NAND也许会增长至100层以上的深度。应用材料提供了制作NAND闪存和RRAM的半导体工业机器。他说：“3D会使NAND工艺继续升级制程。我认为它能够发展得很远。”
Lee说，他已经看到了加工厂把3DNAND发展到128层的路线图。第一代3D NAND，24层深，接下来的就是亚20nm节点2DNAND，但因为它更密集，3D NAND将存储器制造的每比特成本降低30%左右。消费者是否会看到更大密度的NAND闪存，或者加工厂仅仅继续以更低成本创造相同的存储容量，这取决于该行业。
关键词：
RRAM MRAM
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