RRAM和3D NAND性能介绍

来源：宇芯有限公司日期：2018-03-26 15:00:05

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在存储器性能和存储容量方面来说，RRAM和3D NAND都代表着一个巨大的飞跃。和今天的平面NAND闪存相比，Crossbar的RRAM确保了20倍的写性能和10倍的耐久性。Minassian说，像3DNAND一样，RRAM存储器进行芯片堆叠，1TB 模块的尺寸大概是相似容量NAND闪存模块尺寸的一半。

3D NAND提供了数倍容量。每个NAND闪存“摩天大楼”可以实现容量翻倍。三星表示，它的V-NAND最初只拥有128GB到1TB的嵌入式系统和SSD，“取决于客户的需求。”所以，三星似乎决定性的降低每比特价格用来占领市场，而不是提高容量来推动V-NAND销量。

Crossbar的初始RRAM芯片能够存储1TB的数据，它能在尺寸小于邮票的芯片上进行存储，这相当于200mm见方表面上存储了250小时的高清电影。

在性能方面，RRAM还有另一个优势。现在的NAND闪存芯片大约有7MB/秒的写速度。SSD和闪存卡通过并发运行多个芯片可以达到400MB/秒的速度。

3D NAND和RRAM宣称的高性能代表着存储设备不再是现在的系统瓶颈。在未来，瓶颈因素将是总线——计算机组件之间的通信层。简而言之，如果NAND闪存是一个每小时100英里的汽车，RRAM是每小时200英里的汽车，不管他们的速度有多快，如果道路中有一个弯道，那么速度会限制到每小时50英里。

Crossbar表示，除了性能，RRAM还使用少部分功率存储NAND闪存使用的数据，这意味着它有助于延长电池寿命“几周，几个月或是几年”。

例如，NAND闪存需要20伏电压将一些数据写入硅芯片中，而RRAM写入这些数据只需要4微安。

推动RRAM发展的不仅有Crossbar。惠普和松下都已经开发他们自己版本的电阻存储器，但据ObjectiveAnalysis 的首席分析师Jim Handy说，Crossbar对其他开发者有巨大的帮助。这种技术的一大优势是选择装置内置在单元中。在其他RRAM中不是这样，必须内置一些外部的二极管或晶体管。这个领域已经获得了大量的研究经费，但对于许多其他技术仍是一个棘手的问题。

Handy说，即使其他技术提供了更好的性能，RRAM替代性技术的市场仍是有限的，因为闪存制造商倾向于使用最便宜的技术。

关键词：RRAM NAND闪存

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