中国正大力发展存储器行业
来源：宇芯有限公司 日期：2018-03-12 17:02:18
今年，中国新起步的存储器制造商预计将达到一个重要的里程碑，并将进入初始量产阶段，虽然在此之前它们遇到了各种问题和障碍。
国内存储器商家正在关注两个市场，3D NAND和DRAM。在这两个领域中，本地厂商要么就是技术落后，要么就是在努力开发这些产品，也有两者兼而有之。
中国目前正在全力发展存储器产业、 IC设计、逻辑工艺制造和封装。凭借数十亿美元的资金支持，中国希望发展国内半导体产业，因为中国目前使用的绝大部分芯片都是进口的，这造成了巨大的贸易逆差。
在逻辑工艺制造上，中国多年来在贸易逆差方面取得了微小的进展。中国开展了几个重大项目以缩小这一差距。其中包括：
清华紫光最近宣布了3个大型存储器项目，耗资840亿美元。目标是建造九座晶圆厂，但目前只有一座正在建设中。它专注于3D NAND，目前已试产32层NAND，64层NAND技术正在研发中。
另外两家中国公司福建晋华集成电路有限公司和睿力集成电路有限公司（Innotron）也将分别在新的300mm晶圆厂增加22nm的DRAM。
中国能否在市场上站稳脚跟现在还不清楚。本地供应商拥有一些IP，但基本上都是从零开始。为了推动存储领域的发展，中国曾试图收购跨国存储器制造商或组建联盟。但是因为国家安全和IP问题，大多数国家对此瞻前顾后。
所以，中国必须独立研发大部分技术。但在竞争激烈的存储器市场，中国很难追赶上英特尔、三星、美光、SK海力士、东芝和Western Digital等跨国公司。
这不禁让人质疑中国的存储器制造商能否在长期内取得成功。一些分析师持悲观态度，称中国厂商缺乏核心竞争力技术，另一些人则对中国在存储器领域的发展相对乐观。
市场研究机构International Business Strategies的首席执行官Handel Jones表示：“我们对NAND的态度比DRAM更为乐观，但这需要一些时间。中国有能力获得NAND市场的份额，但这仍然需要领先的技术。对于一家新的DRAM公司而言，进入市场并获得技术是非常艰难的。”
据了解，中国距离开发64层3D NAND器件大约需要6到9个月的时间，这一技术可以让中国名扬世界。消息人士称，大规模量产仍需一到两年，因此中国能否制造出可靠的器件还有待观察。
有些人对市场有不同的看法。Semico Research公司的制造部总经理Joanne Itow在最近的博客中表示：“Semico认为，三家中国存储器公司都取得成功概率较低，但其中某一家公司取得成功则很有可能。”
Semico称，预计到2021年，中国国内存储器供应商的产能将从现在的几乎为零增加到超过300,000wpm（wafer/每月）。虽然这听起来可能让人印象深刻，但据Semico称，到那时这只占全球存储器容量的不到10%。
关键词：
DRAM
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