紫光南京半导体产业基地助力我国存储器领域的发展

 

据了解，紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设，主要生产产品是3D-NAND FLASH、DRAM存储芯片等，占地面积约1500亩。项目一期投资约100亿美元，月产芯片10万片。项目达产后，将助力我国在主流存储器领域的跨越式发展。除投资额高达300亿美元的芯片工厂建设以外，紫光集团还将投资约300亿人民币建设配套的IC国际城，包含科技园、设计封装产业基地、商业设施、国际学校、国际人才公寓等综合配套设施。

 

集成电路产业是信息技术产业的核心，被称为“工业粮食”和“生死攸关的工业”，是未来产业竞争、综合实力竞争、科技竞争的关键。紫光南京半导体产业基地项目以存储芯片及存储器尖端制造环节为突破口，集存储产品设计、技术研发、生产制造、销售于一体，可带动设计、制造、封装、测试等集成电路产业链的发展。该项目将遵循 “国家战略推动、地方大力支持、企业市场化运作”三合一的新模式。该项目巨额的投资强度居中国集成电路行业单体投资前列，将产生巨大的虹吸效应，并吸引更多的产业链企业和科技人才聚集，加快本地高新产业发展。紫光南京半导体产业基地一旦落成，加上南京现有的集成电路产业，将使南京跃居中国最重要的集成电路产业城市。


关键词：NAND FLASH


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