中国设计出新型态光敏感性半导体存储器
来源： 日期：2018-02-02 14:25:20
近日有研究团队基于原子级薄度的半导体研究设计出一种存储器，除了具有良好的性能，也能够在完全不需要电力辅助的情况下，用光线就能消除储存资料，团队认为这种新的存储器在系统整合型面板（System on Panel）上，具有非常大的应用潜力。
据报导，复旦大学和中国科学院微电子研究所的Long-Fei He及相关研究人员最近发表了一篇关于新型态存储器的论文。
因为大多数现有的存储器技术都不够轻巧，不能整合应用在显示面板上，研究人员一直都在研究全新的设计和材料，尝试制造出同样具有良好性能、却能超薄的储存设备。
在这项新的研究中，研究人员通过二维过度金属材料“二硫化钼”（MoS2）的应用，创造出一种原子级薄度的半导体，它的电导率（conductivity）可以被精细的调整，进而形成具有高开关电流比的存储器基础元件。
此外，团队也在测试中证明，这类型存储器具有运行速度快、大容量的存储器空间和优异的保存性，研究人员估计，即使处在85°C（185°F）的高温下10年，储存空间仍可以保存原有的60%左右，对于实际应用来说仍然足够。
曾经已有研究证实二硫化钼具有光敏性（photoresponsive），这意味着一些性质可以运用光来控制，为了了解实际应用情况，团队也实际进行了相关实验，结果他们发现，当光线照射到已编程的存储设备上时，储存资料被完全消除，但同时运用电压抹除资讯的方式也仍然可以使用。
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