ReRAM是创新型的、高能效的存储器技术
来源：宇芯有限公司 日期：2018-01-25 14:50:54
阻变随机存储器在众多创新型的、低能耗、更加微缩性、高容量、高性能以及高可靠性的存储解决方案的开发竞争中被普遍认为是最有前景的技术。典型的ReRAM存储单元，在两个金属电极之间，像三明治结构那样，部署使用了转换介质材料，从而使转换介质材料在加载特定的电压条件下，表征为不同的电阻特性。依靠于所选取的不同转换介质材料和存储单元的组织架构，所能得到的性能差异是明显的。
与闪存不同的是，ReRAM是可以比特/字节级寻址的，并且是能够实现可独立重写的小页面架构。片上存储通过防止了闪存所必需的数据管理所带来的大量的后台存储器访问，从而最大化地简化了微控制器的复杂程度。它还可以使用更宽的存储器总线，突破多个计算核和存储之间的带宽瓶颈。ReRAM在减小读写延迟、降低能耗和延长产品寿命等方面取得了显著的优势。
在存储单元层面，ReRAM提高了写性能，降低了功耗；在系统层面，片上存储器减少了相较于外部非易失性存储器高达50倍的能耗。而且，更低的、更易预测的访问延迟可以减少代码提取和数据流的执行时间，从而降低了能耗。
对各个组件进行不同的机械互连和为应对不同复杂度的各种方法会降低良品率并提高总的制造成本。而存储器的单片集成再也不需要这些机械互连和应对不同复杂度的方法。而且，ReRAM技术可以很容易地被集成到标准的CMOS逻辑电路中并且很容易地利用现有的CMOS代工厂进行制造。相较于蓝牙低功耗BLE的无线发送能耗，更多的片上存储可以使数据日志应用节省40倍的能耗。
ReRAM解决方案带来了互连中的物联网领域的伟大创新。能够很容易地、大容量地与逻辑电路、模拟电路和RF组件集成于单个SoC中,并能够在无须电池充电的条件下运行多年的低能耗、快速、非易失性大容量存储器，也使得未来的智能设备在物联网、消费类电子产品和工业应用实现纵横跨越成为可能。
关键词：
ReRAM
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