STT-MRAM 的特性与难题

来源：宇芯有限公司 日期：2018-01-16 14:59:41

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STT-MRAM 的特性

与DRAM 和 SRAM 具有相同特性的非易失性；

基本上无限的耐久性；

低电压就能实现高速度；

对 CMOS 友好。

 

1T-1MTJ pSTT-MRAM  架构，来自 GlobalFoundries

 

但 STT-MRAM 也面临着以下难题：

 

复杂的薄膜堆叠方式；

较窄的传感区间

回流焊接滞留

 

但 Everspin 已经销售 MRAM 一段时间了，其中包括一款 256 Mb 的 perpendicular STT-MRAM。这款产品基于其代工合作伙伴 GlobalFoundries 的 40nm 工艺。Everspin 正在抽样生产基于 28nm 的 1 Gb 部件。

 

作为与 Everspin 的授权交易的一部分，GlobalFoundries 正在为其即将到来的 22nm FD-SOI 平台开发嵌入式 STT-MRAM。这家代工厂还计划之后继续为其 12nm FD-SOI 工艺以及 14nm 和 7nm finFET 工艺开发嵌入式 MRAM。

 

GlobalFoundries 很快就会有其它伙伴了。三星、台积电和联电都各自在为自己的嵌入式客户开发这项技术。三星有自己的 IP，其它几家则在于各种伙伴合作。

 

从 Everspin 的立场来看，这家公司可能很欢迎竞争。“从我们的角度看，这都很有好处。”Everspin 的 LoPresti 说，“这证明了这个产业。这也将加速实现生产设备的规模经济。如果（代工厂）要推出 MRAM，那就意味着它们会向生产工具的公司要求能实现高产量和投资回报率的生产工具。”

 

除了 Everspin 和代工厂，英特尔、美光和东芝-SK海力士组合都有在 MRAM 方面的研发投入。同时，Avalanche、Crocus 和 Spin Transfer Technologies 等几家创业公司也在开发这项技术。

关键词：Everspin    STT-MRAM

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