赛普拉斯推出带四个串行外设接口的1Mb nvSRAM

四个SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高时钟频率为108MHz，其性能超过了并行接口(x8 IO 宽度, 45-ns 访问时间)器件。该nvSRAM 提供了 24MBps的随机读写访问速度，无限制的写次数，以及20年的数据保存期。因其I/O宽度更小，其16-pin SOIC 封装以及 24-ball BGA封装的芯片管脚数更少，故占板空间也就更少。该器件还包括了一个可选的集成实时时钟(RTC)，未经校准的精度为+/- 50ppm。这款nvSRAM与竞争器件相比具有更低的功耗，工作电流为 5.8mA，睡眠模式电流为10uA。

赛普拉斯nvSRAM符合RoHS标准，可用来直接替代SRAM、带电池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，无需电池即可提供可靠的非易失性数据存储功能。掉电时，数据会自动从SRAM传输到该器件的非易失性单元。通电后，数据可从非易失性单元恢复到SRAM。这两个操作也能由软件控制。

赛普拉斯非易失性产品业务部总监Sonal Chandrasekhar认为：“关键任务系统需要能在掉电瞬间立即可靠地保存数据的高性能存储器。赛普拉斯的新款1Mb Quad SPI nvSRAM具有在掉电时保护数据安全的能力，其数据吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。”

赛普拉斯的nvSRAM系采用其SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存储器技术制造，可实现更高的容量、更快的访问速度和更好的性能。对RAID系统、PLC、航空、工业数据日志、电机驱动、计算和网络系统、路由器和交换机、国防系统，以及游戏系统等于需要高性能和绝对非易失性数据安全的应用而言，nvSRAM是理想的选择。

关于赛普拉斯的nvSRAM

赛普拉斯的nvSRAM系采用存储在外部电容器中的电荷，而非电池，从而使这一器件适合于标准的PCB流水线生产。赛普拉斯的nvSRAM符合ROHS标准，可以直接替代SRAM、依靠电池供电的SRAM(BBSRAM)产品，提供快速非易失性数据存储能力。当发生断电的时候，数据可自动从SRAM传输到非易失性单元中。加电之后，数据可从非易失性存储器中恢复至SRAM。在网络、工业、计算及RAID应用中，赛普拉斯的nvSRAM提供了高速数据传输性能，并在断电的时候，无需电池即可保证数据的完整性。

关键词：赛普拉斯    nvSRAM 

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