比NOR和NAND闪存快千倍的ReRAM在中国量产

非挥发性电阻式内存(ReRAM)开发商Crossbar Inc.利用非导电的银离子-非晶硅(a-Si)为基板材料，并透过电场转换机制，开发出号称比NAND闪存更快千倍速度的ReRAM组件，并如期实现量产。

根据Crossbar副总裁所说，专为嵌入式非挥发性内存(eNVM)应用而打造的Crossbar ReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度与写入速度更高1000倍，单芯片尺寸约200mm2左右，即可实现高达terabyte(TB)级的储存，并具有结构简单与易于制造等优点。


                            
                                            Crossbar ReRAM技术易于配置，以实现低成本制造。

该ReRAM组件目前正由其合作伙伴中芯国际(SMIC)进行生产，SMIC最近已宣布为客户出样40nm CMOS制程的ReRAM芯片。除了量产40nm ReRAM，预计不久也将实现28nm CMOS的生产。Dubois预期这一时间大约就在2017年的上半年，但他并未透露是否仍沿用SMIC还是其他代工厂为其生产28nm CMOS。

Crossbar是目前竞相投入开发非挥发性内存(NVM)技术的多家公司之一；NVM技术可望用于取代闪存，并可微缩至28nm以及更先进制程。尤其是在相变内存无法成功用于商用市场后，ReRAM已被业界视为一种更可能取得成功的备选技术。不过，ReRAM技术也有多种版本，在许多情况下，可能无法完全深入了解在其切换和失效模式背后的原理。有些人甚至指出磁性内存(MRAM)可能会是在28nm节点胜出的非挥发性内存。

 

ReRAM已经明显表现出优于闪存的优点了，包括20奈秒(ns)的读取延迟以及12ns的写入延迟，相形之下，闪存还存在几毫秒的延迟。Dubois解释，“我们的技术并不存在区段擦除(block erase)，因而能够重新写入单个字节。”至于其耐久性，Dubois强调，Crossbar可确保达到100k次的读写周期。他说：“对于这些应用，100k是一般锁定的目标，但我们持续使其推向更高的稳定度。”

 

                               
  Crossbar ReRAM内建选择特性，能使内存单元在1T1R数组中实现超低延迟的读取，或在1TnR数组中实现最佳面积效率(4F2单元)



关键词：NAND闪存   ReRAM

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