三星量产第2代10nm FinFET
来源：宇芯有限公司 日期：2017-12-12 16:54:48
三星近日宣布开始大规模量产以第2代10nm FinFET制程技术(10LPP)为基础的单芯片系统(SoC)产品，其搭配该单芯片系统的电子产品，也预计将在2018年第一季问市。
三星透露，10LPP技术针对低功耗产品所研发，相较于第1代的10LPE在制程可使性能提高10%、功耗降低15%。该制程延续于已量产中的10LPE制程，将大幅缩短从开发到大量生产的准备时间，并提供更高的初期生产良率，因此在市场竞争中更有优势。
三星称，预计将于2018年首季推出采用10LPP制程技术制造的电子产品。因为在晶圆处理上和10nm LPE有跟多共同点，所以三星承诺不仅不会有跳票的情况发生，同时也会扩展客户数量。
因此，三星位于华城（Hwaseong）的S3工厂也为量产做好了准备，目前正准备加速生产10纳米及其以下制程技术。据了解，华城S3工厂是三星晶圆代工业务的第3座晶圆厂，其它两座分别是位于韩国京畿道的器兴(Giheung)的S1以及位于美国奥斯汀的S2。
根据规划，三星的7纳米FinFET制程技术与EUV(ExtremeUltraViolet)技术也预计将在S3晶圆厂中于2018年开始大量生产。
另据Engadget、ZDNet报道，由三星代工的高通骁龙845极大可能会运用10LPP技术，三星Galaxy S9搭载的Exynos 9810处理器将会使用该工艺。
据悉，三星8nm LPP制程工艺的技术验证工作也已完成，将于不久之后大规模量产。三星表示，相比于 10nm 制程，全新8nm制程的芯片不仅面积能缩减 10%，功耗也能降低10%。该工艺正式投产后，将会定位于高端旗舰市场。
有媒体报道称，三星和高通也在推进8nm工艺，首款产品（骁龙855或者服务器芯片）将在明年秋季推出。
关键词：
FinFET制程技术
上一篇：
DDR5内存技术参数公布
宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。
