DDR5介面芯片的存储器频宽与密度都比DDR4更高2倍
来源：宇芯有限公司 日期：2017-11-30 15:28:54
市场研究公司WebFeet Research总裁Alan Niebel表示：“市场将会非常需要DDR5...但它仍然是DRAM，而且也很耗电。它推动了传统的冯•诺伊曼(Von Neuman)系统进展，但我们仍然需要持续推出持久型存储器替代方案，以及新的运算模式。”
事实上，Hewlett-Packard Enterprise (HPE)已经发布了一款采用Gen-Z存储器介面的原型系统。Gen-Z是在今年8月才推出的全新存储器架构。
WebFeet首席分析师Gil Russell表示：“许多人并不看好DDR5能成为下一代的存储器介面。”
DRAM的制程技术微缩正趋近于其核心电容器的实体限制，这使得Russell等业界分析师预期这种存储器设计将在未来的5至10年内终结。他强调，更高的错误率必须在芯片上建置纠错程式码的电路。
然而，存储器领域“是一个真正进展缓慢的领域。”Russell说：“要让DIMM获得市场的认可，大概就得花一年的时间，而且大家总想要以尽可能最低的成本导入。”
同时，为了进一步提高速度与密度，AMD和Nvidia的高阶绘图处理器(GPU)已经改用高频宽的存储器芯片堆叠了。Rambus的Dhulla指出，芯片堆叠仍然是一种昂贵的途径，仅限于用在高阶的GPU、FPGA以及通讯ASIC。
Dhulla表示，“DDR5显然是开启大量机会的理想途径。但目前业界较大的争论焦点是在DDR5之后以及2023年以后将如何发展。因此，我们的实验室也正着眼于多种替代方案。
关键词：
DDR5 DRAM
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