三星斥巨资 欲抑制中国存储器发展
来源：宇芯有限公司 日期：2017-11-28 14:55:28
IC Insights估计，今年三星260亿美元的半导体支出将分成几部分：
3D NAND闪存：140亿美元（包括在平泽工厂的产能大幅增长）
DRAM：70亿美元（用于流程迁移和弥补由于迁移造成的容量损失的额外容量） 代工/其他：50亿美元（用于提升10纳米制程能力）
IC Insights认为，今年三星的巨额支出将会对存储行业未来格局产生巨大影响。 3D NAND闪存市场可能因此出现产能过剩时期。 这种产能过剩的情况不仅是由于三星在3D NAND闪存方面的巨额支出，而且也是由于竞争对手（例如美光，SK海力士，东芝，英特尔等公司）的大力投入所引起。 换言之，三星的竞争对手在这种情况下只能提高产能，不然只能坐吃山空。
IC Insights认为，三星半导体的资本开支预计将会抑制中国储存器厂商的发展，因为一定程度上，他们在打击自主发展的中国厂商与存储器巨头同场竞技的资格。那么，中国储存器厂商应该思考未来何去何从，这才是当务之急。
