STT-MRAM突破到10nm以下
来源： 日期：2024-01-15 14:53:13
MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。 MRAM具有近乎无限的耐久性及高可靠性，是能够满足电子应用程序中这种市场需求的非易失性存储器，
非易失性存储器即使在电源关闭时也能保留信息，有望显著降低汽车、人工智能和物联网等应用中半导体集成电路的功耗。目前，自旋电子学被用作非易失性存储器。基于该技术的自旋转移矩磁阻存储器（
STT-MRAM）的商业化正在取得进展。
该存储器采用钴铁硼（CoFeB）层夹在氧化镁（MgO）层之间的结构，作为存储数据的磁隧道结（MTJ）元件的存储层。该器件的数据保留特性取决于垂直磁各向异性和元件尺寸，这种结构满足1Xnm一代汽车半导体集成电路所需的数据保留特性。
本文关键词：STT-MRAM
相关文章：呼吸机电机控制主控单片机芯片
宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。
