三星电子的核心MRAM技术

    三星的 eMRAM 和 MRAM 目前都是下一代内存创新的核心。自 2019 年 3 月基于 28 纳米（nm）全耗尽绝缘体硅（FD-SOI）工艺的 eMRAM 解决方案开始商业出货以来，该公司一直在提供闪存型 eMRAM 解决方案以及可用作工作存储器的非易失性 RAM（nvRAM）型 eMRAM。
 
    具体而言，增强型磁隧道结（MTJ）堆栈工艺技术大幅降低了写入错误率（WER）。此外，MTJ 还从以前的 28 纳米节点提升到 14 纳米 FinFET 工艺，实现了 33% 的面积缩放。这种芯片级尺寸允许在同一晶圆上生产更多芯片，从而产生更多的净芯片。此外，它还使读取周期时间缩短了 2.6 倍1 ，16Mb 的封装尺寸也缩小到了 30 平方毫米，是目前业界最小的商用尺寸。该解决方案在 -25°C 温度条件下可提供超过 1E142 个周期的近乎无限的耐用性。不过，最重要的成就可能还是同类最佳的能效，在 54MB/s 带宽条件下，主动读取和写入功耗分别为 14mW和27mW。

本文关键词：MRAM

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