汽车MRAM存储芯片MR25H10

    Everspin存储芯片MR25H10是一个1048576位的磁阻随机存取存储器（MRAM）设备，被组织为8位的131072个字。MR25H10提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写定时，无写延迟，读/写持久性无限制。与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。是必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序的理想内存解决方案。
 
    MR25H10封装DFN8封装或DFN Small Flag封装。两者都兼容串行EEPROM、闪存和FeRAM产品。可在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业级（-40℃至+85℃）和AEC-Q100 1级（-40℃至+125℃的）工作温度范围选项。
 
    特点
    •无写入延迟
    •无限制的写入续航能力
    •数据保留期超过20年
    •断电时的自动数据保护
    •块写入保护
    •快速、简单的SPI接口，时钟频率高达40 MHz
    •2.7至3.6伏电源范围
    •低电流睡眠模式
    •工业温度
    •可提供符合RoHS的8引脚DFN或8引脚DFN-Small Flag包装
    •直接替换串行EEPROM、闪存、FeRAM
    •AEC-Q100 1级选项

本文关键词：MR25H10,MRAM

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