PSRAM概述

    PSRAM即伪静态RAM,要讲到PSRAM首先得从SRAM和DRAM讲起。
 
    SRAM和DRAM都代表易失性的存储形式，当电源掉电时内容丢失。SRAM使用六晶体管存储单元存储数据，速度更快，效率更高(比dram需要更少的功率)，允许数据残留，并且通常更昂贵，接口简单, 驱动简单。
 
    相比之下，DRAM通过结合金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和金属氧化物半导体(MOS)电容器来实现数据存储，DRAM芯片更便宜，但需要从外部源不断刷新以保留其电容器上的数据，接口复杂，驱动复杂。
 
    那么有没有一种RAM能结合SRAM和DRAM的优点，即容量大,又接口驱动简单呢,有,因为有以上需求于是PSRAM应运而生，PSRAM接口和SRAM一样简单，驱动简单；而存储形式则和DRAM一样，容量远大于SRAM，介于SRAM和DRAM之间,现在一般是最大64MB。


本文关键词：PSRAM,SRAM

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