NRAM非易失性随机存取存储器
来源： 日期：2023-09-25 14:23:31
NRAM它是一种基于沉积在芯片状基板上的碳纳米管位置的非易失性随机存取存储器，理论上，纳米管的小尺寸可以实现非常高密度的存储器。
NRAM工作方式和其他存储有所不同，其由碳纳米管层所制作而成，碳纳米管是由催化剂微粒（最常见的是铁元）生长而来的。每个NRAM“单元”或晶体管由一个碳纳米管网络组成，其工作原理与其他非挥发性RAM技术相同。相互不接触的碳纳米管呈现高电阻状态，代表“关闭”或“0”状态；当碳纳米管相互接触时，它们呈现低电阻状态，代表“开启”或“1”状态。
与NAND和DRAM相比，NRAM能耗更低，待机模式的功耗接近于零，写入速度更快，且具有无限的扩张性，FRAM突破不了100纳米，EEPROM一般为60多纳米， NOR Flash为十几纳米，而NRAM可以推进至5纳米，未来的扩展空间比较大。
NRAM 相对于传统闪存的另一大优势是耐久度，可实现几乎无限的读写循环。它们还具备耐热、耐寒、抗电磁干扰和辐射的能力， Nantero表示，其在85摄氏度下可以保存数千年，并在300摄氏度下经过了10年的测试，也没有丢失哪怕一比特的数据。
NRAM不但可以做数据储存也可以做程序储存，这一特性对消费类电子市场具备巨大吸引力。目前，针对独立NRAM和嵌入式NRAM的产品开发项目正在进行中。正在寻求独立NRAM的三个目的：用于DRAM替换，用于NAND闪存替换以及用于DRAM和NAND闪存都无法寻址的应用。在嵌入式存储器领域，正在进行使用嵌入式NRAM代替嵌入式非易失性存储器的工作，包括嵌入式闪存或嵌入式RAM（
SRAM或DRAM）。
本文关键词：NRAM,SRAM,MRAM
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