JSC低功耗SRAM芯片EM610FV8T-70LF
来源: 日期:2023-09-13 14:37:33
低功耗SRAM存储器应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品,
SRAM作为最重要的半导体存储器,广泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制造工艺的不断提升,存储器占据芯片的功耗比例越来越大,高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要。
EM610FV8T-70LF采用JSC先进的全CMOS工艺技术制造。这些系列支持工业温度范围和芯片规模封装,以实现系统设计的用户灵活性。该系列还支持低数据保留电压,以便在低数据保留电流下进行电池备份操作。详情联系JSC代理RAMSUM。
EM610FV8T-70LF特征
•工艺技术:0.18m全CMOS
•组织:128K x 8位
•电源电压:2.7V~3.6V
•低数据保持电压:1.5V(最小值)
•三态输出和TTL兼容
•封装采用32-TSOP1
JSC是专门从事存储半导体总体解决方案的存储器公司。开发了自己的移动SDRAM系列,SRAM系列和各种其他NAND MCP,一直领先于市场趋势,不断为各种物联网设备提供优化的内存产品。瞄准物联网领域,保持在物联网市场的竞争力,并成为存储器半导体领域的总体解决方案提供商。目前面向以下市场:物联网、网络、移动、消费者等,同时能够熟练地适应不断变化的市场。
本文关键词:SRAM,EM610FV8T-70LF
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