磁变存储器MRAM

    MRAM是一种基于隧穿磁阻效应的技术，MRAM的产品主要适用于容量要求低的特殊应用领域以及新兴的IoT嵌入式存储领域，该技术拥有读写次数无限、写入速度快（写入时间可低至2.3n）、功耗低、和逻辑芯片整合度高的特点。
 
    目前主流的MRAM技术主要以美国Everspin公司推出的STT-MRAM（垂直混合自旋扭矩转换磁性随机存储器）为代表。Everspin是一家设计、制造和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）的企业。
 
    2019年，Everspin与晶圆代工厂格芯合作，试生产28nm 1Gb STT-MRAM产品；2020年3月，双方宣布已将联合开发的自旋转矩（STT-MRAM）器件的制造，扩展至12 nm FinFET平台，通过缩小制程有助于双方进一步拉低1 Gb芯片成本；2022年推出用于工业物联网和嵌入式系统的xSPI xSPI产品，xSPI产品系列基于EXpanded串行外围接口。提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有时钟频率高达200 MHz的高速、低引脚数SPI兼容总线接口。这些持久存储器MRAM设备在单个1.8V电源上工作，并通过八个I/O信号提供高达400MBps的读写能力。取代了SRAM、BBSRAM、NVSRAM和NOR设备等产品，瞄准了工业自动化、过程控制、仿真、汽车和运输、游戏以及更广泛的工业物联网市场。Everspin在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。
 
    STT MRAM使用隧道层的“巨磁阻效应”来读取位单元，当该层两侧的磁性方向一致时为低电阻，当磁性方向相反时，电阻会变得很高。与其他新兴存储技术相比，STT-MRAM耐用性较为出色，并且存储速度极快，还被认为是最高级的缓存存储器。
 
    凭借存储速度和耐用性的特点，这两种存储器有望成为高性能计算系统（如数据中心）分级存储体系中的上佳选择。不过，如果要将STT-MRAM或SOT-MRAM用作高密度存储器，还需在存储器成本和密度方面有进一步提升。


本文关键词：MRAM,STT-MRAM

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