SRAM内存技术简述

  存储器大致可分为两类：非易失性和易失性。非易失性存储器可以通过数百万次电源循环来存储其内容。内存中的内容会一直保留，直到它们被有意擦除或覆盖。非易失性存储器的两个示例是闪存和HDD。相比之下，易失性存储器在电源循环后会丢失其内容。两种常见类型的易失性存储器是SRAM和DRAM。
 
  虽然SRAM和DRAM都是易失性的，但DRAM通常速度较慢，因为它的实现方式。在DRAM中，每个位都使用电容器存储。由于电容器会失去电荷，除非在板上连续施加电位差，因此需要定期刷新DRAM以防止数据丢失。这种定期刷新会导致高延迟，从而导致内存变慢。
 
  另一方面，SRAM不使用电容器来存储数据。相反，它使用多个晶体管（称为SRAM单元）来存储位。可以使用位线和字线网格写入和读取SRAM。
 
  要写入一个典型的SRAM单元，相关的位线根据所需的值分别被驱动为低电平或高电平，然后世界线被驱动为高电平。要从典型的SRAM单元读取数据，两条位线都被驱动为高电平，然后是世界线被驱动为高电平。这样，SRAM就可以区分读取和写入操作。
 
  对于智能手机等嵌入式和移动计算应用，设计人员使用SRAM，它尽可能节能以延长设备的电池寿命。由于漏电流，功耗可以是主动的或被动的。在SRAM中，寄生电容导致电荷在存储器电路中进出移动，从而导致有功功率耗散。


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