STT-MRAM与nvSRAM的比较

来源：日期：2023-04-06 11:38:18

一键分享

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有SRAM的高速读取写入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM具备高速读写、低功耗、高密度、耐擦写、宽温区和抗辐照等优势。

非易失性随机存取存储器
•像SRAM一样工作: 高速、高续航、单字节访问
•像ROM/Flash一样存储:不易挥发，保存时间长

MRAM优势
•无需超级电容器
-节省板面积，减少组件
•快速通电
-快速系统恢复

	nvSRAM	Winner	STT-MRAM
Write Speed*	25ns~45ns	←	35ns~300ns
Super-Capacitor Requirement	YES	→	NO
Recover time	600μs	→	Instant

医疗系统示例

本文关键词：STT-MRAM,MRAM,nvSRAM

相关文章：非易失性MRAM芯片在汽车上的应用

宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商.