赛普拉斯非易失性NV-SRAM具有无限的耐久性

    NV-SRAM（非易失性SRAM或NVRAM）是一种独立的非易失存储器，它使您能够在电源中断时立即捕获SRAM数据并将其保存到非易失内存中，并允许在不消耗电源的情况下调用数据。它们是数据记录应用的理想选择，如高性能可编程逻辑控制器（PLC）、智能仪表和网络路由器，需要快速写入速度、高耐久性和即时无波动性。英飞凌的nvSRAM提供符合行业标准、RoHS的封装选项，如TSOP、FBGA、SSOP和SOIC封装。
 
    容量：64Kb、128Kb、256Kb、512Kb、1Mb、4Mb、8Mb、16Mb
接口：I2C、SPI、QSPI、并行（x8、x16、x32）
 
    主要功能
    快速访问—执行随机访问读取和写入，速度可达20ns
    无限的耐久性-提供无限的写入和读取
    节省空间-与BBSRAM相比，占用的板空间更小
    辐射耐受性-对辐射引起的软错误免疫
 
    英飞凌的NV-SRAM将Cypress业界领先的SRAM技术与一流的SONOS非易失性技术相结合。Infineon提供了一系列串行和并行nvSRAM非易失性存储器。
 
    并行NVSRAM是业界最快的并行非易失性RAM解决方案，最快访问时间为20ns。这些器件的容量范围为64kbit–16Mbit，支持2.7V至5.5V的宽电压范围。这些器件用于RAID存储、工业自动化、计算和网络等应用。
 
    串行nvSRAM提供无限的读/写耐久性和高速读写。这些器件的容量范围为64kbit–1Mbit，支持2.7V至5.5V的宽电压范围。这些器件用于工业控制和自动化设备以及智能仪表等应用。

本文关键词：NV-SRAM 赛普拉斯

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