​四种方法解决大的NOR元件的芯片问题

    越来越多的公司使用的 CMOS 代工逻辑无法将 NOR 闪存嵌入到小于 28nm 的工艺中，除非 NOR 是使用 28nm 或更大的工艺技术生产的。就是芯片的逻辑部分会随着工艺的缩小而继续缩小，但 NOR 的尺寸会保持不变，这将大大减缓芯片成本的降低。SRAM 似乎也是如此。在大约 10nm 的工艺中，SRAM 的扩展速度比逻辑慢得多，尽管它并没有像 NOR 那样完全停止。
 
    1、继续缩小逻辑，但使NOR区域保持相同大小，以降低成本。这对于闪存很少的芯片来说可能是可以接受的。
 
    2、使用外部NOR闪存并将其内容移入和移出内部SRAM缓存。虽然这延迟了不可避免的问题，但这不是一个长期的解决方案，因为SRAM也将停止扩展。这也是一种能源效率低下的解决方案。
 
    3、使用小芯片并使用NOR优化工艺在自己的芯片上制作NOR闪存。这可能会在一段时间内提供更便宜的NOR元件，但它很快就会达到自己的终点。
 
    4、转换为一种新兴的内存技术，这种解决方案似乎比上述三种具有更长远的前景。本着这种精神，台积电、三星和GlobalFoundries都推出了MRAM和ReRAM工艺，以支持那些寻求此类解决方案的客户。
 
    如果第四个选项流行起来，它将推动晶圆产量增加，而更高的产量将降低成本，从而使这些代工厂生产的离散存储芯片在财务上更具吸引力，这将有助于创造更多的产量。
 
    因此，最终，任何希望成功的新兴技术都可能从逻辑过程中的嵌入式存储器开始，这将降低生产成本。这些成本降低最终将变得足够显着，以使分立存储芯片达到足够低的成本结构，从而威胁到当今领先的存储技术。

本文关键词：SRAM,MRAM

相关文章：台积电正在研究的STT-MRAM存储技术