台积电正在研究的STT-MRAM存储技术
来源： 日期：2023-01-12 14:19:53
作为追求先进技术的领导者，台积电对新存储技术的规划如火如荼。毕竟逻辑和存储是芯片的重要的两条腿，不能落后。台积电正在研究的新型存储器解决方案主要包括
MRAM，RRAM，PCRAM，铁电RAM等等。近年来，台积电积极推进内嵌式闪存（sFlash)改为MRAM和ReRAM等新的存储制造。
在新型非易失性二进制存储器中，STT-MRAM，SOTMRAM和VCMRAM由于其工作电压低，速度快，耐久性高，CMOS技术兼容性特别有吸引力。
台积电研发
STT-MRAM解决方法主要用于克服嵌入式闪存技术的扩展限制。台积电展置入16nm FinFET CMOS工艺的STT-MRAM稳定性和抗磁性。
台积电仍在积极推进SOT-MRAM和VC-MRAM，并且与外部研究实验室、财团和学术合作伙伴合作。SOT-MRAM寻找高速(2)ns)二进制内存解决方案驱动，这种解决方案比传统的6T-SRAM解决方法的密度要大得多，而且更节能。
本文关键词：MRAM,STT-MRAM
相关文章：SRAM技术遇到瓶颈
宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商.
