SRAM和DRAM主要差异

SRAM（静态随机存取存储器）由CMOS技术组成，使用六个晶体管。它的结构由两个交叉耦合的反相器组成，用于存储数据（二进制），类似于触发器和额外的两个晶体管用于访问控制。它比DRAM等其他RAM类型相对更快。它消耗更少的电力。SRAM只要通电就可以保存数据。
 
DRAM（动态随机存取存储器）也是一种使用电容器和少量晶体管构成的RAM。电容器用于存储数据，其中位值1表示电容器已充电，位值0表示电容器已放电。电容器容易放电，导致电荷泄漏。
 
SRAM和DRAM之间的主要区别
1、SRAM是访问时间短的片上存储器，DRAM是访问时间长的片外存储器。因此SRAM比DRAM快。
2、DRAM的存储容量更大，而SRAM的尺寸更小。
3、SRAM很贵，而DRAM很便宜。
4、高速缓冲存储器是SRAM的一种应用。相反，DRAM用于主存储器。
5、DRAM高度密集。相反，SRAM比较少见。
6、使用了大量的晶体管，SRAM的结构很复杂。相反，DRAM易于设计和实现。
7、在SRAM中，单个内存块需要六个晶体管，而DRAM只需要一个晶体管用于单个内存块。
8、DRAM之所以被命名为动态的，是因为它使用的电容器会产生泄漏电流，因为电容器内部用于分隔导电板的电介质不是完美的绝缘体，因此需要电源刷新电路。另一方面，SRAM中不存在电荷泄漏的问题。
9、DRAM的功耗比SRAM高。SRAM的工作原理是改变通过开关的电流方向，而DRAM的工作原理是保持电荷。

本文关键词：SRAM,DRAM

相关文章：DRAM价格在Q4扩大跌幅至13~18%