三星236层3D NAND量产
来源： 日期：2022-11-07 14:05:19
三星已经开始批量生产其大概为236层的3D NAND存储器，命名为第8代V-NAND。新IC具有2400MTps的传输速度，当与高级控制器结合使用时，它们可以实现传输速度超过12GBps的客户端级SSD。
新的第8代V-NAND设备具有1Tb容量（128GB），三星称其为业界最高的位密度，但没有透露IC的尺寸或实际密度。该IC还具有2400MTps的数据传输速率，这对于配备PCIe5.0x4接口的最佳SSD至关重要，一旦与适当的控制器配对，将提供惊人的12.4GBps（或更高）。
与现有相同容量的闪存IC相比，其新一代3D NAND存储器的每晶圆生产率将提高20%，这降低了公司的成本（在良率相同的情况下），这可能意味着更便宜的SSD。
随着市场对更密集、更大容量的存储需求推动更高的V-NAND层数，三星采用其先进的3D缩放技术来减少表面积和高度，同时避免通常在按比例缩小时发生的单元间干扰。第八代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，能够更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。
本文关键词：NAND
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