三大厂商的DDR5技术对比

三大DRAM制造商已开始量产其首批4800MHz或5600MHz的DDR5组件。预计DDR5设备具有D1a或D1α，然而，DDR5 DRAM芯片和单元/外围设计看起来还没有成熟，并且所有第一批DDR5芯片都采用了一些较旧的技术节点（设计规则），例如三星D1y、美光D1z,和SK海力士D1y。迄今为止，业界领先的工艺技术节点是D1a或D1α。表1显示了美光、三星和SK海力士发布的首批DDR5设备的比较。
 
第一个是TeamGroup ELITE DDR5UDIMM，配备16GB DDR5设备，其中DDR5 MT60B2G8HB-48B:A芯片由美光（Y32A芯片）制造。第二个是G.SKILL Trident Z5 DDR5内存F5-5600U3636C16GX2-TZ5K与三星DDR5K4RAH086VB-BCQK设备（K4RAH046VBdie）。第三个来自SKHynix，带有32GB HMCG88MEBUA81N DDR5 UDIMMPC5-4800B模块（H5CNAG8NMdie）。
 
美光应用了他们的M-D1z工艺技术节点，而三星和SK海力士采用了D1y单元工艺（S-D1y和H-D1y）。因此，美光(66.26mm2)的DDR5裸片尺寸小于三星(73.58mm2)和SKHynix的(75.21mm2)。
 
与三星和SK海力士相比，美光在DDR5上的单元尺寸和位密度方面有更大的进步。事实上，美光M-D1z工艺技术比三星和SK海力士的D1y工艺更先进，包括15.9nmD/R、poly-Si/TiNcellgate无W材料、更小的有源/WL/BL间距、先进的SNLP工艺和SN电容工艺和材料，以及CuMn/Cu金属工艺。


本文关键词：DRAM,DDR5 DRAM芯片

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