SOT-MRAM与闪存和NAND的对比

在新的非易失性存储器(NVM)技术时代，另一种变体即将加入竞争——称为自旋轨道扭矩或SOT-MRAM的新版本MRAM。有朝一日可能取代片上系统(SoC)和其他集成电路中的SRAM阵列。
 
仅仅基于成本，它或任何新的NVM都很难与NAND闪存或DRAM竞争。
 
尽管DRAM和NAND已经高度优化，可能无法以相同的新存储器速度取得新的进展，但它们受益于一些全球最大的半导体公司在一个销售数百亿芯片的市场上进行了数十年的技术投资。每年每项技术的产品价值，。已经花费了大量资金来优化DRAM和NAND，达到今天的水平。即使一项新技术每年进步20%，要赶上DRAM和NAND仍有很长的路要走。
 
在一两件事上做得更好可能会有所帮助，但总的来说，闪存和DRAM的成熟度以及它们不断发展的事实可能会使专用MRAM芯片超出经济范围。
 
在某些指标上，新奇的记忆要击败既定的记忆还不够好。它几乎必须在带宽、延迟、容量、成本、功率和耐用性等所有关键指标上击败DRAM或NAND。就像今天的技术一样，专用芯片似乎遥不可及，因为在成本方面它永远无法与DRAM竞争。

关键词：​DRAM 

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