EMI504NL16VM-55IT可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗异步SRAM

ISSI型号IS61WV25616EDBLL-10TLI是一种高速低功耗、容量4Mbit的SRAM存储器，位宽256*12，采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的器件。
 
我司宇芯有限公司介绍一款可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗异步SRAM的国产SRAM芯片EMI504NL16VM-55IT。
 
国产SRAM芯片厂家伟凌创芯EMI504NL16VM-55IT由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持工业温度范围和芯片级封装，以使用户灵活地进行系统设计。并支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。
 
EMI504NL16VM-55IT的制程技术采用90nm Full CMOS，位宽为256Kx16位，其电源电压范围2.7V~3.6V，低数据保持电压：1.5V（最小值），具备三态输出和TTL兼容，封装采用标准的44TSOP2，具备工业操作温度。EMI代理英尚微电子支持提供样品测试及产品技术支持指导。
 
EMI是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注SRAM，PSRAM等存储、显示驱动，接口转换芯片设计、生产及销售。公司拥有国际知名设计专家及工作经验丰富工程师研发团队，与国内知名前后道生产合作伙伴紧密合作。为行业客户提供高品质、低成本，供货持续稳定的自主知识产权的集成电路产品，产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。