DRAM现在发展成什么样了？

对存储器而言，追求的始终是更快的速度、更低的功耗和更高的存储密度。在器件尺寸scaling down的大前提下，存储容量不能变小，发展过程中就会面临很多挑战。
 
选通管技术，很大程度借鉴了logic器件的发展，就要减少漏电。DRAM刷新占到了很大的功耗比重，漏电小了才能增加刷新周期的时间。
 
对于电容来说，是“更具挑战性的事情”。如果想要维持电容器的电容量不变，或者增大的话，面积就要增大。但DRAM走的是尺寸微缩的道路，这其中就存在矛盾。为了维持电容量不变，有很多工作要去做，包括各种空间结构的变化。在较高空间结构的情况下，还需要考虑支撑结构问题。
 
除了结构变化之外，还有材料的变化。无论是介质本身的材料，还是上下电极材料。这些技术都是在逐步的演进过程中的。
 
工艺尺寸微缩过程中，DRAM主流市场上，三星、海力士、美光的15nm DRAM都已经实现了量产。长鑫存储19nm DDR4 DRAM也已经实现了量产。在进入1z技术节点之后，技术难度就变得非常大。
 
未来有很多新的技术可以期待。新材料方面，如果大家关注今年的IEDM，就会知道今年IGZO的研究很流行。如果IGZO可以用的话，其实三维的DRAM就有望实现。另外，现在的电容材料如果改用铁电，就有望实现非易失性的DRAM。这对降低功耗就非常有意义。
 
DRAM的另一个发展方向，典型的就是HBM die的堆叠。通过系统集成的方法，可以显著提高带宽。当然它也有代价，它的latency并没有变化，但成本有很大的增加。这类方案在GPU、AI芯片等产品在数据中心、HPC已经有比较广泛的应用。

关键词：​DRAM 

宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。