适用于SSD的异构DDR STT-MRAM控制器架构

随着企业固态硬盘(SSD)在系统性能和更小的外形尺寸方面不断突破极限，SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。需要提高密度、耐用性、性能并添加重要的新功能，同时还要继续保护传输中的数据免受电源故障的影响。
 
作为克服现有基于NAND闪存的SSD局限性的解决方案，Everspin MRAM提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可用于通过提供高速非易失性存储来提高SSD的系统性能和可靠性飞行数据。通过添加STT-MRAM来补充或替换SSD控制器的DDR总线上的易失性DRAM，SSD控制器现在可以将这种高速非易失性存储器用于写入缓冲区和任何其他传输中以前易失性的关键数据。
 
对于企业级SSD来说，电源管理系统的设计很重要。系统必须检测电源故障，将驱动器与主机隔离，并为驱动器提供足够的能量存储，以允许将任何传输中的数据提交到非易失性存储器，以保证数据完整性。完成此操作所需的保持能量与传输中的数据量、非易失性存储器的速度和系统的功耗成正比。这种保持能量存储提供的时间量可以被视为电源故障窗口或在保持能量耗尽之前可用于存储不受保护的数据的时间。
 
为了支持由不同内存类型的独立列组成的异构DDR架构，理想情况下，SSD控制器中包含的DDR控制器需要支持处理STT-MRAM的不同时序和寻址要求，以获得最佳性能。SSD控制器还必须采用额外的逻辑来正确管理DDR控制器缓冲区中的少量驻留数据，以确保将管道刷新到STT-MRAM并在断电之前关闭STT-MRAM中的任何打开页面.


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