实现高速运行和低功耗的富士通8Mbit FRAM MB85R8M2T

铁电随机存取存储器是一种使用铁电文件作为存储数据的电容器的存储器。即使断电也能保留内容。结合了ROM和RAM的优点，具有快速写入速度、低功耗和高读/写周期耐久性。也称为FRAM。
 
富士通自2018年6月开始提供具有并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。在推广该产品的同时，公司听到了客户的声音，例如保证写入寿命超过10万亿次，运行速度与SRAM相同，TSOP封装与SRAM兼容。富士通现在很高兴推出满足这些要求的新8Mbit FRAM产品，保持FRAM的低功耗的独特特性。
 
MB85R8M2TA具有与SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的宽电源电压范围内运行。它是富士通FRAM产品系列中第一款保证100万亿读/写循环时间的产品。
 
能够在快速页面模式下运行高达25ns，新的FRAM在连续数据传输时的访问速度与SRAM一样高。与富士通的传统FRAM产品相比，它不仅实现了更高的运行速度，而且实现了更低的功耗。该FRAM最大写入电流18mA，比目前产品小10%，最大待机电流150µA，小50%。采用44引脚TSOP封装，同封装作为富士通FRAM的4Mbit以及48引脚FBGA封装。
 

型号	MB85R8M2TA
密度（配置）	8Mbit(512Kx16bit)
界面	并行接口（低功耗SRAM兼容）
工作电压	1.8V至3.6V
工作温度范围	-40°C至+85°C
读/写耐久性	100万亿(1014)次
封装	48-pinFBGA,44-pinTSOP
低功耗	工作电流：18mA（最大值）
	待机电流：150μA（最大值）
	睡眠电流：10μA（最大值）

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