富士通铁电存储器I2C接口MB85RC04V
来源: 日期:2021-11-04 10:33:18
富士通FRAM存储器MB85RC04V是一种被称为FRAM(铁电随机存取存储器)的存储芯片,配置为512×8位,通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同,MB85RC04V无需备用电池即可保持数据。MB85RC04V非易失性存储单元读/写的耐久性进一步提升,至少为10
12(一万亿)次,明显超过FLASH和E
2PROM。与FLASH或E
2PROM不同,MB85RC04V在写入存储器后无需轮询序列。
二线串行接口:通过两个端口实现完全可控:串行时钟(SCL)和串行数据(SDA)。,最大工作频率1MHz,读/写耐久性:1012(一万亿)次/字节,数据保持:10年(+85℃),95年(+55℃),200年以上(+35℃),工作电源电压:3.0V到5.5V,低功耗工作电流90μA(1MHz下的典型值)
待机电流5μA(典型值),工作环境温度范围−40℃到+85℃,封装采用8引脚塑料SOP(FPT-8P-M02)。
I2C(内置集成电路)
MB85RC04V
铁电存储器支持二线串行接口的I2C总线,并作为从器件运行。I2C总线定义了通讯中的“主器件”和“从”器件,起始控制由主器件发出。此外,通过I2C总线,可在合用线配置中将一个主器件与多个从器件相连。在这种情况下,必须为从器件分配唯一的器件地址。主器件在通过地址指定要通讯的从器件之后开始通讯。
I2C通讯协议
I2C总线是二线串行接口,使用双向数据总线(SDA)和串行时钟(SCL)。数据传输只能由主器件发起,并由其提供同步串行时钟。SDA信号应在SCL为“低”电平时跳变。但有一种例外情况,当起始和停止通讯序列时,允许SDA在SCL为“高”电平时跳变。
•起始条件
要开始I2C总线的读或写操作,当SCL输入为“高”电平时,将SDA输入从“高”电平更改为“低”电平。
•停止条件
要停止I2C总线通讯,当SCL输入为“高”电平时,将SDA输入从“低”电平更改为“高”电平。在读操作中,输入停止条件完成读操作并进入等待状态。在写操作中,输入停止条件完成输入重写数据并进入等待状态。
关键词:铁电存储器,MB85RC04V
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