富士通代理16Kbit串行铁电存储器MB85RS16

■产品描述
MB85RS16是FRAM（铁电存储器）芯片，配置为2,048×8位，通过铁电工艺和硅栅CMOS
工艺技术形成非易失性存储单元。MB85RS16采用串行外设接口(SPI)。MB85RS16与SRAM不同，无需备用电池即可保持数据。MB85RS16中使用的存储单元可用于10¹²次读/写操作，它的读/写耐久性大大超过FLASH和E2PROM。MB85RS16不会像FLASH或E2PROM那样需要很长的数据写入时间，而且MB85RS16不需要等待时间。
 
■特点
•位配置：2,048×8位
•串行外围设备接口：SPI（串行外设接口）
与SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)通信
•工作频率：20MHz（最大）
•高耐久性：10¹²（一万亿）次/字节
•数据保持：10年(+85℃),95年(+55℃),200年以上(+35℃)
•工作电源电压：2.7V到3.6V
•低功耗：工作电流1.5mA（20MHz下的典型值）待机电流5μA（典型值）
•工作环境温度范围：−40℃到+85℃
•封装：8引脚塑料SOP(FPT-8P-M02)
符合RoHS
 
串行外设接口(SPI)
MB85RS16作为SPI的从器件。通过使用配备SPI端口的微控制器可以连接多个器件。使用没有配备SPI
端口的微控制器，可以通过模拟SPI总线操作。
 
富士通半导体存储器解决方案为客户提供以铁电随机存取存储器(FRAM)为中心的存储器产品和各种解决方案，这是一种高质量和高可靠性的非易失性存储器。富士通的半导体部门于1999年开始批量生产FRAM，富士通FRAM作为提供非易失性的存储器产品，即使在断电时也能保留存储的数据，以及随机存取，因此赢得了客户的好评。与传统类型的非易失性存储器（例如EEPROM和闪存）相比，FRAM具有独特的功能，包括更高的写入速度、更长的读/写周期耐久性和更低的功耗。FRAM的应用范围很广，例如IC卡、RFID标签。代理商宇芯电子支持提供产品测试及相关技术支持。


关键词：富士通FRAM  MB85RS16 宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。