ISSI代理32Mb伪静态pSRAM存储器

IS66WVC2M16EALL是一种集成存储设备，包含32Mbit伪静态pSRAM存储器，使用自刷新DRAM阵列组织为2M字乘16位。该器件包括多种省电模式：减少阵列刷新模式，其中数据保留在阵列的一部分和温度控制刷新。这两种模式都减少了待机电流消耗。可以在标准异步模式和高性能突发模式下运行。管芯具有独立的电源轨、VDDQ和VSSQ，用于I/O运行，来自器件内核的独立电源。ISSI代理支持提供产品相关技术支持.
 
特征
•单机支持异步、page、burst操作
•MixedMode支持异步写和同步读操作
•双电压轨可选性能
-全部：VDD1.7V~1.95V，VDDQ1.7V~1.95V
-CLL:VDD1.7V~1.95V,VDDQ2.7V~3.6V
•异步模式读访问：70ns
-页间读取访问：70ns
-页内读取访问：25ns
•读写操作的突发模式4,8,16,32或连续
•低功耗
-异步操作<30mA
-页内读取<20mA
-突发操作<45mA(@133Mhz)
-待机<150uA（最大）
-深度掉电(DPD)<3uA(Typ)
•低功耗特性
-减少数组刷新
-温控刷新
-深度掉电（DPD）模式
•工作频率高达133Mhz
•工作温度范围工业-40°C~85°C
•封装：54-ballVFBGA
 
IS66WVC2M16EALL是为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态pSRAM存储器。32Mb DRAM核心设备组织为2Megx16位。是行业标准闪存控制接口的变体，与其他低功耗SRAM或伪SRAM产品相比，可显着增加读/写带宽。
 
为了在突发Flash总线上无缝运行，IS66WVC2M16EALL集成了透明的自刷新机制。隐藏刷新不需要来自系统内存控制器的额外支持，并且对设备读/写性能没有显着影响。
 
两个用户可访问的控制寄存器定义设备操作。总线配置寄存器(BCR)定义IS66WVC2M16EALL设备如何与系统内存总线交互，并且与突发模式闪存设备上的对应物几乎相同。
 
刷新配置寄存器(RCR)用于控制如何在DRAM阵列上执行刷新。这些寄存器在上电期间自动加载默认设置，并且可以在正常操作期间随时更新。特别关注自刷新期间的待机电流消耗。

关键词：IS66WVC2M16EALL  pSRAM

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