赛普拉斯代理2Mbit SPI铁电FRAM存储器芯片FM25H20
来源: 日期:2021-08-02 11:01:38
赛普拉斯FM25H20是一款采用先进铁电工艺的2Mbit非易失性铁电RAM存储器。铁电随机存取存储器是非易失性的,执行类似于RAM的读取和写入。它提供了151年的可靠数据保留,同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
特征
•2Mbit铁电随机存取存储器(
铁电RAM)逻辑上组织为256K×8
-高续航100万亿(10
14)读/写
-151年数据保留
-NoDelay™写入
-先进的高可靠性铁电工艺
•极快的串行外设接口(SPI)
-高达40MHz的频率
-串行闪存和EEPROM的直接硬件更换
-支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•复杂的写保护方案
-使用写保护(WP)引脚的硬件保护
-使用写禁用指令的软件保护
-1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
•低功耗
-1MHz时为1mA有源电流
-80μA(典型值)待机电流
-3μA睡眠模式电流
•低电压操作:2.7V~3.6V
•工业温度–40℃至+85℃
•引脚
-8引脚小外形集成电路(SOIC)封装
-8引脚薄型双扁平无引脚(TDFN)封装
•符合有害物质限制(RoHS)
FM25H20非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。示例范围从数据收集(其中写入周期数可能至关重要)到要求苛刻的工业控制(其中串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失)。提供了可观的写入耐久性。FM25H20能够支持10
14个读/写周期,或比EEPROM多1亿倍的写周期。FM25H20为串行EEPROM或闪存作为硬件替代品的用户提供了巨大的好处。FM25H20采用高速SPI总线,增强了铁电RAM技术的高速写入能力。Cypress代理宇芯电子提供产品技术支持及应用解决方案等。
关键词:串行FRAM FRAM
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