FRAM存储芯片技术和优势

赛普拉斯半导体提供全面的串行和并行FRAM（铁电RAM）非易失性存储器产品组合，可在断电时立即捕获和保存关键数据。在关键任务数据记录应用中，例如需要高可靠性控制和吞吐量的工厂车间的高性能可编程逻辑控制器(PLC)，或以低功耗设计的植入人体生命的患者监护设备，小尺寸内存，赛普拉斯的FRAM提供即时非易失性和几乎无限的耐用性，而不会影响速度或能源效率。
 
FRAM技术和优势
Cypress FRAM基于铁电技术构建。FRAM芯片包含一层锆钛酸铅铁电薄膜，通常称为PZT。PZT中的原子在电场中改变极性，从而产生高能效的二进制开关。然而PZT最重要的方面是它不受电源中断的影响，使FRAM成为可靠的非易失性存储器。FRAM的基本工作原理及其独特的存储单元架构赋予了该技术与EEPROM或闪存等竞争性存储技术不同的特定优势。
 
无延迟写入
•以总线速度将数据写入存储单元,无需浸泡时间
高耐力
•具有超过100万亿(10¹⁴)个写入周期的浮栅存储器寿命更长
高效节能
•消耗的能量比EEPROM少200倍，比NOR闪存少3,000倍
耐辐射
•不受辐射弓|起的软错误的影响，这些错误会在内存中产生位翻转
 
FRAM的好处
源自浮栅技术的传统可写非易失性存储器使用电荷泵来开发片上高压（10V或更高），以迫使载流子通过栅氧化层。因此写入延迟长，写入功率高，写入操作实际上对存储单元具有破坏性。浮栅器件无法支持超过106次访问的写入。从这个角度来看，使用EEPROM以1个样本/秒记录数据的数据记录器将在12天内磨损。相比之下，3VFRAM产品提供几乎无限的耐用性（10¹⁴次访问）。
 
FRAM在写入速度和功率方面都远远优于浮栅器件。对于时钟频率为20MHz的典型串行EEPROM，写入256位（32字节页面缓冲区）需要5毫秒，写入整个64Kb需要1283.6毫秒。对于等效的FRAM，256位仅需14µs，写入整个64Kb仅需3.25ms。此外，将64Kb写入EEPROM需要3900µJ，而将64Kb写入F-RAM需要17µJ，相差超过229倍。
 
总之：
•读访问时间=写访问时间<100ns
•读能量=写能量
•高写入耐久性10¹⁴
 
铁电随机存取存储器FRAM是真正的非易失性RAM，因为它结合了RAM和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。
 
 
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