赛普拉斯I2C接口128Kbit非易失性串行FRAM存储器FM24V01A

赛普拉斯半导体提供全面的串行FRAM和并行FRAM（铁电RAM）非易失性存储器产品组合，可在断电时立即捕获和保存关键数据。在关键任务数据记录应用中，例如需要高可靠性控制和吞吐量的工厂车间的高性能可编程逻辑控制器 (PLC)，或以低功耗设计的植入人体生命的患者监护设备，小尺寸内存，赛普拉斯FRAM 提供即时非易失性和几乎无限的耐用性，而不会影响速度或能源效率。代理商宇芯电子介绍一款具有I2C接口128Kbit非易失性串行FRAM存储器FM24V01A。
 
功能说明
FM24V01A是一款采用先进铁电工艺的128Kbit非易失性存储器。铁电存储器芯片是非易失性的，执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
 
与EEPROM不同，FM24V01A以总线速度执行写操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入存储器阵列。无需数据轮询即可开始下一个总线周期。与其他非易失性存储器相比，该产品提供了可观的写入耐久性。FRAM在写入期间的功耗也比EEPROM低得多，因为写入操作不需要为写入电路提供内部升高的电源电压。FM24V01A能够支持10¹⁴个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写周期。
 
这些功能使FM24V01A非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。示例范围从数据记录（其中写入周期数可能至关重要）到要求苛刻的工业控制（EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失）。功能的组合允许更频繁的数据写入，而系统的开销更少。
 
FM24V01A为串行EEPROM的用户提供了实质性的好处，作为硬件的替代品。该设备包含一个只读设备ID，允许主机确定制造商、产品密度和产品版本。器件规格在–40℃至+85℃的工业温度范围内得到保证。
 
特征
■128-Kbit铁电存储器(FRAM)逻辑上组织为16K×8
❐高续航100万亿(10¹⁴)次读/写
❐151年的数据保留期
❐NoDelay™写入
❐先进的高可靠性铁电工艺
■快速两线串行接口(I2C)
❐高达3.4MHz的频率[1]
❐串行EEPROM的直接硬件更换
❐支持100kHz和400kHz的传统时序
■设备ID
❐制造商ID和产品ID
■低功耗
❐175-μA有功电流在100kHz
❐150-μA待机电流
❐8-μA睡眠模式电流
■低电压操作：VDD=2.0V至3.6V
■工业温度：–40℃至+85℃
■8引脚小外形集成电路(SOIC)封装
■符合有害物质限制(RoHS)
 
功能概述
FM24V01A是串行FRAM存储器。存储器阵列在逻辑上组织为16,384×8位，并使用两线(I2C)接口进行访问。FRAM的功能操作类似于串行EEPROM。FM24V01A与具有相同引脚排列的串行EEPROM之间的主要区别在于铁电存储器的卓越写入性能、高耐用性和低功耗。
 
内存架构
访问FM24V01A时，用户寻址16K个位置，每个位置8个数据位。这八个数据位串行移入或移出。这些地址使用两线协议访问，包括从地址（以区分其他非存储设备）和两字节地址。地址范围的高2位是“无关”值。14位的完整地址唯一地指定了每个字节的地址。
 
内存操作的访问时间基本上为零，超出了串行协议所需的时间。即以两线总线的速度读取或写入存储器。与串行EEPROM不同，由于写入是以总线速度进行的，因此无需轮询设备是否处于就绪状态。当一个新的总线事务可以转移到设备中时，写操作就完成了。


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