富士通FRAM存储芯片512K×8位SPI MB85RS4MTY

FRAM(铁电RAM)是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。我们量产的FRAM产品已交付给工业市场超过21年。因此，FRAM是具有成熟制造经验的高性能和高度可靠的存储器。下面代理商宇芯电子介绍富士通FRAM存储芯片512K×8位SPI MB85RS4MTY。
 
MB85RS4MTY描述
MB85RS4MTY是一款524,288字×8位配置的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。本产品针对高温环境应用。MB85RS4MTY采用串行外设接口（SPI）。
 
MB85RS4MTY无需使用后备电池即可保存数据，这是SRAM所需要的。MB85RS4MTY中使用的存储单元可用于10¹³次读/写操作，这是对读写次数的重大改进Flash存储器和E²PROM支持的操作。
 
由于MB85RS4MTY在写入过程中不需要任何等待时间，因此MB85RS4MTY的写入周期比Flash或E²PROM短很多。
 
MB85RS4MTY特点
•位配置：524,288字×8位
•串行扇区区域：256字×8位
在该区域中，保证了基于JEDECMSL-3标准条件（通过）3次回流后的数据存储。
•唯一身份
•序列号：64位
在该区域中，保证了基于JEDECMSL-3标准条件（通过）3次回流后的数据存储。
•串行外设接口：SPI（串行外设接口）对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作频率：50MHz（最大）
•高耐久性：10¹³次/字节
•数据保留：10年(+85℃)
2.75年(+105℃)
0.85年(+125℃)或更长
在评估超过2.5年（+125℃）
•工作电源电压：1.8V至3.6V
•低功耗：工作电源电流4mA(Max@50MHz)
待机电流350μA（最大）
深度掉电电流30μA（最大）
休眠电流14μA（最大）
•工作环境温度范围：-40℃至+125℃
•封装：8-pin塑料SOP208mil、8针塑料DFN 5mm×6mm符合RoHS
 
多年来，FUJITSU一直以来倾注于提供高质量和高性能的存储器，这对于那些增强型的数字应用而言必不可少。近年来，除了提供更高密度，更高性能和更低功耗的存储产品外，为客户的应用提供了最佳的解决方案。
 

关键词：富士通FRAM  MB85RS4MTY 宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。