Everspin代理Serial MRAM芯片MR25H10CDC

Everspin公司型号MR25H10CDC是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备，组织为131,072个8位字。MR25H10CDC提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序，无写延迟和无限读/写耐久性。与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，MR25H10CDC是理想的存储器解决方案。
 
MR25H10CDC采用5mmx6mm 8引脚DFN封装与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。MR25H10CDC在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40°至+85°C）和AEC-Q1001级（-40°C至+125°C）工作温度范围选项。
 
MR25H10CDC特征
•无写入延迟
•无限写入耐久性
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•块写保护
•快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业温度
•提供8引脚DFN兼容封装
•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
•AEC-Q1001级选项
 
MR25H10CDC是一个串行MRAM，内存阵列逻辑组织为 128Kx8，使用串行外围接口(SPI)总线的片选(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)四个引脚接口 . 串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集，允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代品相比，串行MRAM提供卓越的写入速度、无限的耐用性、低待机和操作功率以及更可靠的数据保留。代理商宇芯电子提供产品相关技术方面支持。


MR25H10型号表

型号	容量	位宽	电压(V)	温度	封装	MOQ /托盘	MOQ /卷带
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	570	4,000
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	570	4,000
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	570	4,000

关键词：MR25H10CDC