Everspin代理1Mb串行MRAM存储芯片MR25H10MDC
来源:宇芯有限公司 日期:2021-06-03 10:38:04
MR25H10MDC是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备,组织为131,072个8位字。MR25H10MDC提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序,无写延迟和无限读/写耐久性。与其他串行存储器不同,读取和写入都可以在存储器中随机发生,写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序,MR25H10MDC是理想的存储器解决方案。
everspin代理宇芯电子提供产品相关技术支持及解决方案。
MR25H10MDC采用5mmx6mm8引脚DFN封装。两者都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。MR25H10MDC在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供AEC-Q1001级(-40°C至+125°C)工作温度范围选项。
特征
•无写入延迟
•无限写入耐久性
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•块写保护
•快速、简单的SPI接口,时钟速率高达40MHz
•2.7至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业温度
•提供8针DFN RoHS兼容
•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
•AEC-Q1001级选项
器件引脚分配
MR25H10MDC是一个串行
MRAM,内存阵列逻辑组织为128Kx8,使用串行外围接口(SPI)的片选(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)四个引脚接口公共汽车。串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集,允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代品相比,串行MRAM提供卓越的写入速度、无限的耐用性、低待机和操作功率以及更可靠的数据保留。
系统配置
单个或多个设备可以连接到总线,如图所示。引脚SCK、SO和SI在器件中是通用的。每个器件都需要单独驱动CS和HOLD引脚。
MR25H10型号表
型号 |
容量 |
位宽 |
电压(V) |
温度 |
封装 |
MOQ /托盘 |
MOQ /卷带 |
MR25H10CDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H10MDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
570 |
4,000 |
MR25H10CDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
MR25H10MDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
570 |
4,000 |
关键词:MR25H10MDC
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