富士通FRAM存储器1Mbit SPI MB85RS1MT资料

MB85RS1MT是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为131,072字×8位，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。采用串行外围设备接口（SPI）。能够保留数据，而无需使用SRAM所需的备用电池。
 
MB85RS1MT中使用的存储单元可用于10¹³个读/写操作，与Flash存储器和E²PROM支持的读和写操作数量相比有显着改进。不需要很长的时间就可以写入闪存或E²PROM等数据，MB85RS1MT不需要等待时间。代理商宇芯电子支持提供产品相关技术支持。
 
■特点
•位配置：131,072字×8位
•串行外围设备接口：SPI（串行外围设备接口）对应于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
•工作频率：1.8V到2.7V，最大25MHz2.7V到3.6V，最大30MHz（对于FSTRD命令）2.7V到3.6V，最大40MHz（最大）
•高耐久性：10¹³次/字节
•数据保留：10年（+85°C），95年（+55°C），超过200年（+35°C）
•工作电源电压：1.8V至3.6V
•低功耗：工作电源电流9.5mA（最大值@30MHz）
待机电流120μA（最大值）
休眠电流10μA（最大值）
•工作环境温度范围：-40℃至+85℃
•封装
8针塑料SOP（FPT-8P-M02）
8针塑料WLP（WLP-8P-M01）
8针塑料DIP（DIP-8P-M03）
符合RoHS
 
关于富士通
富士通半导体主要提供高质量、高可靠性的非易失性铁电存储器FRAM， 富士通半导体早在1995年已开始研发FRAM存储器，FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域，以及医疗设备及医疗RFID标签等医疗领域。近年来应用于可穿戴设备和工业机器人以及无人机中。富士通FRAM凭借高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面的优势，被视为替代传统EEPROM和FLASH的产品。日本富士通半导体代表了当今世界最先进的FRAM技术。FRAM在半导体市场上已经得到了商业验证，FRAM存储器产品已成功应用在汽车中。


关键词：FRAM  富士通 宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。