存储芯片行业的总体特点及未来发展趋势

存储芯片又称半导体存储器，作为电子数字设备的主要存储部件，是现代信息产业应用最广的核心零部件。存储器一方面可存储程序代码以处理各类数据，另一方面可存储数据处理过程中产生的中间数据及最终结果，被广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域，是应用面最广的基础性通用集成电路产品。存储芯片供应商宇芯电子可提供更多关于存储资讯及技术支持。

当前全球存储器技术正处于多种技术路线并行、多层迭代过渡的关键时期，呈现出两大特点：
 
（1）新型存储器尚未规模化或者标准化，尚难撼动当前存储器市场格局，全球各大存储器厂商均投入人力和资源持续开展前沿技术如3D XPoint、MRAM（磁阻存储器）、RRAM（阻变存储器）、PRAM（相变存储器）、FRAM（铁电存储器）等新一代存储技术开发，但是目前新型存储器过高的成本或较大的工艺难度，目前都未实现规模化和标准化。
 
（2）DRAM和Nand Flash仍为市场主流，NOR Flash市场逐步恢复。
 
DRAM和Nand Flash应用极其广泛，是当前存储市场的主流，市场规模占比超过95%。但也同时面临制程持续微缩的挑战，未来持续提升性能和降低成本变得更加困难。NOR Flash是除DRAM和Nand Flash以外最大规模的存储芯片，凭借着“芯片内执行”的特点在物联网、5G通讯设备、可穿戴设备等领域广泛应用，市场规模逐步恢复。
 
主要存储芯片的未来发展趋势

（1）DRAM
 
DRAM按照产品分类分为DDR/LPDDR/GDDR等，被广泛的应用于移动设备、服务器、个人计算机、消费电子等领域。DRAM的技术发展路径主要以提升制程来提高存储密度，同时不断优化设计，提升带宽、提升速率、降低功耗。
 
（2）Nand Flash
 
高可靠性的中小容量产品需求持续增加中小容量的Nand Flash的高可靠性在工业级、车规级产品领域，具备大容量产品无可比拟的可靠性优势，随着5G通讯设备、物联网、汽车电子的发展，中小容量产品需求持续增加。5G通讯设备、物联网都需要高速且稳定可靠的存储芯片作为各类数据站点。以5G基站为例，其部署环境复杂恶劣，且需要全天候工作，中小容量SLC Nand在性能稳定性上具有明显的优势。
 
高集成度的3D Nand在大容量存储器领域成为主流存储芯片的集成度主要体现在单位面积所容纳晶体管的个数，因此存储芯片的集成度越高，其单位面积的存储容量越大。相对于中小容量的2D NAND，3D NAND通过在二维平面基础上，在垂直方向也进行存储单元的堆叠，从而极大地提升了闪存的存储容量。目前国际大厂均已成功研发100+层的3D NAND。随着大数据、云计算、人工智能的发展，数据量呈爆发式增长，持续带动大容量存储产品需求。
 
（3）NOR Flash
 
NOR Flash进入50nm制程后，主要存储大厂均通过优化接口技术等方式增加数据吞吐量提升产品性能；同时不断拓展应用场景，凭借擦写次数多、读取速度快、芯片内可执行等特点，在以TWS耳机为代表的可穿戴设备、车载电子、AMOLED、TDDI及屏下指纹技术等领域大放异彩。
 

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